Crecimiento de heteroestructuras de GaSb/GalnAsSb/GaSb por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida
DOI:
https://doi.org/10.33975/riuq.vol19n1.770Palabras clave:
Semiconductores, heteroestructura, EFL, DRX, FLResumen
En este trabajo se muestran algunos resultados preliminares del proceso de crecimiento por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL) de la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb. Se describe el proceso de fabricación de la heteroestructura así como también se muestran los resultado obtenidos de su caracterización por Difracción de Rayos X (DRX) y Fotoluminiscencia (FL) los cuales evidencian el crecimiento epitaxial de la heteroestructura.
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Publicado
31-12-2009
Número
Sección
Artículo Original
Cómo citar
Crecimiento de heteroestructuras de GaSb/GalnAsSb/GaSb por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida. (2009). Revista De Investigaciones Universidad Del Quindío, 19(1), 23-27. https://doi.org/10.33975/riuq.vol19n1.770
