Crecimiento de heteroestructuras de GaSb/GalnAsSb/GaSb por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida

Autores/as

  • José Fernando Gómez Universidad del Quindío
  • Ana Patricia Cardona Universidad del Quindío
  • Marianela De-Los-Ríos Universidad del Quindío
  • Liliana Tirado-Trujillo Universidad del Quindío
  • Hernando Ariza-Calderón Universidad del Quindío

DOI:

https://doi.org/10.33975/riuq.vol19n1.770

Palabras clave:

Semiconductores, heteroestructura, EFL, DRX, FL

Resumen

En este trabajo se muestran algunos resultados preliminares del proceso de crecimiento por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL) de la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb. Se describe el proceso de fabricación de la heteroestructura así como también se muestran los resultado obtenidos de su caracterización por Difracción de Rayos X (DRX) y Fotoluminiscencia (FL) los cuales evidencian el crecimiento epitaxial de la heteroestructura. 

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Publicado

31-12-2009

Cómo citar

Gómez, J. F., Cardona, A. P., De-Los-Ríos, M., Tirado-Trujillo, L., & Ariza-Calderón, H. (2009). Crecimiento de heteroestructuras de GaSb/GalnAsSb/GaSb por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida. Revista De Investigaciones Universidad Del Quindío, 19(1), 23–27. https://doi.org/10.33975/riuq.vol19n1.770

Número

Vol. 19 Núm. 1 (2009)

Sección

Artículo Original

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